九游娱乐中心官方正版:功率半导体：涨价态势持续AI叙事增强

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  近期功率半导体涨价与缺货同步出现，已见两轮涨价、且供需紧张下涨价预计延续至2027年。第一轮多数公司涨价幅度约10%，第二轮涨价幅度集中在10%-15%。我们观察到，本轮不是全行业无差别涨价，而是从 8 英寸 MOSFET、部分晶圆代工和封装成本传导开始，向 IGBT、整流桥、模块、模拟和电源管理环节扩散。核心变化是：涨价从成本驱动，进入成本与 AI 数据中心需求共振阶段。

  从封装材料涨价到成本端与需求端共振。本率半导体涨价的本质，是从封装材料涨价和 8 英寸 MOSFET 产能偏紧引发的成本传导，逐步演变为成本压力与 AI 数据中心需求共振下的结构性涨价。 与 2021 年全面缺货不同，本轮紧缺并非全行业扩散，而是集中在高质量 8 英寸成熟制程、部分晶圆代工、封装材料、AI 电源和高景气功率器件环节。第一轮由金、铜等封装材料成本上升及 8 英寸 MOSFET 代工产能偏紧驱动，第二轮在能源、原材料、运输服务成本上行基础上叠加 AI 电源需求，并进一步扩散至 IGBT、整流桥、模块、模拟、电源管理和晶圆代工环节。

  AI 数据中心是本轮行情的新增变量。AI 需求最早拉动先进逻辑和存储，当前已传导至功率管理器件，服务器电源、二次电源、DrMOS、eFuse、PMIC、低压 MOSFET、HVDC、SST、SiC 和 GaN 是更需要我们来关注的增量方向。我们大家都认为，AI 决定本轮弹性，汽车和光储决定需求底盘。

  本轮缺货不是全面缺货，弹性集中在三类环节。第一，AI 服务器和数据中心电源管理；第二，高压信号链、储能和高端工控；第三，新能源相关功率器件。低端消费、白电和通用电源仍有价格竞争，汽车客户受认证周期和年度议价机制约束，价格传导最慢。

  产业链关注顺序：首推 AI 电源和高景气功率器件，次推高质量 8 英寸成熟制程和晶圆代工，中长期关注 SiC、GaN、HVDC 和 SST。若涨价持续落地，行业低端产能出清有望加快，资源将继续向具备 IDM 能力、客户结构更优、上游供应链绑定更深的头部企业集中。

  新产能释放压制价格；AI 电源商业化存在时间差；地理政治学和供应链扰动；毛利率改善不确定。

  第一轮：2026 年 1–3 月，成本驱动。芯联集成 1 月率先上调 8 英寸 MOSFET 晶圆代工价格，提价函幅度 15%，多数客户实际落地约 10%；当时公司 MOSFET 基本满产，IGBT 稼动率在 90% 以上。2 月 1 日，华润微对全系列新产品涨价约 10%，核心是金、铜等封装材料成本上升。2 月，新洁能发出 10% 起涨价函，主要覆盖 MOSFET 等功率产品；3 月，宏微科技完成首轮调价，覆盖 IGBT 单管及模块、整流桥、MOSFET 等。

  第二轮：2026 年一季度末至当前，成本与需求共振。新洁能 3–4 月中小客户率先落地涨价，平均涨幅约 10%；5 月大客户涨价落地，平均涨幅约 15%，部分客户为优先提货主动加价约 25%。5 月前后，英飞凌年内第二次提价，理由包括能源、原材料和运输服务成本上升；同时公司强调 AI 数据中心电源需求旺盛，并预计 2027 财年 AI 数据中心相关收入约 25 亿欧元。6 月底，宏微科技启动第二轮产品涨价，继续覆盖 IGBT、整流桥和 MOSFET。7月，扬杰科技对全系列新产品调价 10%–15%；芯联集成计划对全部 IGBT 和 MOSFET 晶圆代工提价约 15%。涨价链条由封装材料，扩展至晶圆制造、功率分立器件、模拟和电源管理环节。

  AI 数据中心需求最早拉动先进逻辑和存储。2025 年下半年以来，AI 服务器建设推高先进逻辑、HBM、服务器 DRAM、DDR5 和 NAND 需求。存储端价格弹性更直接，2025 年三季度 DRAM 合约价已经上行，四季度服务器 DRAM 进一步涨价；先进逻辑端，3nm、5nm、7nm 等节点产能持续偏紧。

  功率管理器件是第二阶段受益环节。SEMI 2026 年 4 月 30 日披露的一季度硅晶圆数据提到，AI 数据中心相关硅晶圆需求持续强劲，最初大多数来源于先进逻辑和存储，目前已扩展至功率管理器件。到 2026 年一季度，AI 数据中心需求已经从算力芯片和存储，传导至电源控制、服务器电源、电源管理和功率分立器件。

  产品顺序上，涨价先从 8 英寸 MOSFET、中低压 SGT MOS、通用 MOSFET 开始，再向高压 MOSFET、IGBT、整流桥和模块扩散，随后延伸至 AI 服务器电源、数据中心电源管理芯片、高压信号链模拟芯片、DrMOS、eFuse、PMIC、SiC 和 GaN。

  客户顺序上，中小客户先落地，大客户随后落地，汽车客户最慢。新洁能 3–4 月中小客户平均涨约 10%，5 月大客户平均涨约 15%，部分客户主动加价约 25% 提货。汽车客户认证周期长、年度议价机制强，价格传导慢于工业、储能和 AI 服务器客户。

  交期和分货上，市场已进入“涨价 + 缺货”并存阶段，但缺货集中在高景气产品和紧缺产能。主流功率半导体交期普遍拉长至 30 周以上，部分高压器件更长。销售端已出现分货，产能不足时优先供给头部客户和核心客户。

  备货，采购客户普遍在真实需求基础上超额备货 20%–30%，放大短期订单，也可能带来后续库存消化压力。

  本率半导体涨价的本质，我们大家都认为不是简单的价格修复，而是成本压力、AI 电源增量和高质量成熟制程产能约束共同作用下，行业定价权阶段性改善。与 2021 年不同，本轮更偏结构性：不是全部的产品都缺货，也不是全部客户都接受涨价，真正有弹性的环节集中在高景气产品、紧缺产能和能够切入 AI 电源的新应用。

  第一轮的核心是成本传导。年初金、铜等封装材料价格上行，先推高封装成本，再向功率器件价格传导；叠加部分 8 英寸 MOSFET 晶圆代工产能偏紧，硅基功率器件率先出现调价信号。这一阶段更像是企业对成本压力的被动修复。

  第二轮的核心是供需共振。成本端，能源、原材料、运输服务和特种气体价格上行，继续抬升前道制造和晶圆代工成本；需求端，AI 算力集群功耗提升，带动服务器一次电源、二次电源、机柜供电、电源控制和电源管理芯片需求。新能源车、储能、光伏和高端工控同步改善。

  站在7月视角，涨价行业扩散明确。我们观察到涨价不再只停留在个别公司和个别料号，而是扩展至模拟、功率分立器件、电源管理和晶圆代工环节。我们大家都认为，功率半导体涨价已从点状尝试走向行业集中调价，后续重点应跟踪成交价、订单覆盖和交期变化。

  国内中低端功率半导体产能并不稀缺。过去几年扩产较多，低端消费、白电、通用电源等产品仍有价格竞争，部分库存充足料号也没有涨价。因此，本轮行情不能简单外推为 2021 年式的全行业缺货。更准确的判断是：紧缺集中在高质量 8 英寸产能、高景气应用和部分封装材料环节。

  涨价弹性大多数来源于三类产品：第一是 AI 服务器和数据中心电源管理；第二是高压信号链、储能和高端工控；第三是新能源相关功率器件。低端消费、白电和通用电源弹性较弱；汽车客户受认证周期和年度议价机制约束，价格传导最慢。

  AI 数据中心不是替代需求，而是新增需求。服务器电源、二次电源、DrMOS、eFuse、PMIC、低压 MOSFET、HVDC、SST、SiC 和 GaN，是本轮更需要我们来关注的增量方向。新洁能和芯联集成已在 AI 电源相关这类的产品上送样、验证或量产，这部分需求不能简单归为库存周期。

  汽车和光储仍是功率半导体的需求基础。汽车电动化持续拉动 IGBT、SiC MOS、MOSFET、功率模块和驱动 IC；光伏、储能带动高压 MOSFET、IGBT、SiC、整流桥、模块和电源管理器件。我们大家都认为，AI 决定本轮弹性，车和光储决定需求底盘。

  韩国、日本、美国和欧洲继续加码 SiC、GaN 和高功率系统，说明功率半导体的产业定位正在上移。韩国将 SiC 等下一代功率半导体放入战略方向，三星晶圆代工据称讨论重启 8 英寸 SiC 产线；美国和欧洲通过 CHIPS 资金和产业项目推进 SiC 在地热钻探、采矿、制造、国防和能源基础设施中的应用。

  功率半导体已不只是新能源车零部件，而是 AI 数据中心、电网、工业系统、能源基础设施和国防系统的底层器件。对国内公司而言，国产替代机会扩大，但客户门槛也同步提高。长期供货、质量一致性、车规认证、交付稳定性和海外客户认可度，将比单纯低价更重要。

  本轮涨价有望缓解过去几年低价竞争，但关键不在涨价函，而在成交价和毛利率能否改善。若订单覆盖维持、交期不明显缩短、客户继续接受调价，行业低端产能出清将加快，资源也会向具备 IDM 能力、客户结构更优、上游供应链绑定更深的头部企业集中。

  6. 产业链关注顺序：AI 电源优先，高质量成熟制程次之，宽禁带高压化中长期验证。

  优先关注 AI 电源和高景气功率器件。包括服务器电源、DrMOS、eFuse、PMIC、低压 MOSFET、数据中心电源管理、高压信号链和高端工控相关这类的产品。这些环节同时受益于需求增量和供给约束，价格弹性相对更强。

  其次关注高质量成熟制程和晶圆代工。8 英寸成熟制程、MOSFET/IGBT 晶圆代工和部分封装材料环节，是本轮涨价和分货的关键约束。若产能继续偏紧，相关环节的议价能力仍有支撑。

  再次关注 SiC、GaN、HVDC 和 SST。短期仍处于送样、验证和客户导入阶段，收入确认存在时间差；中长期受益于 AI 数据中心高压供电、电网和工业高功率系统。这里的核心不是短期涨价，而是应用场景扩张带来的长期价值重估。

  硅基功率方面，二三线 英寸成熟制程和新增 8 英寸产能释放，可能缓解当前供给紧张；SiC 方面，若 8 英寸产能集中投放，但客户认证和需求放量慢于预期，价格压力可能又出现。SiC 衬底环节需着重关注有效产能，包括 8 英寸良率、缺陷控制、车规认证和稳定交付能力。

  AI 数据中心带来增量需求，但 800V HVDC、SST、1200V/3300V SiC、高压 GaN 等方向仍处于送样、验证或客户规划阶段，从验证到收入确认仍需时间。短期更容易兑现的是低压 MOSFET、DrMOS、eFuse、PMIC、服务器电源和数据中心电源管理产品。

  Nexperia 等事件强化国产替代和供应链安全逻辑，但也可能带来客户停线、交付不确定、出口限制和海外认证放缓。国内厂商需要证明的不只是替代能力，还包括长期供货、质量一致性、车规认证、交付稳定性和海外客户认可度。

  成本推动型涨价不等于利润必然改善。若金属、特种气体、物流和晶圆代工成本继续上升，涨价可能更多用于覆盖成本，而非扩大毛利率。

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